SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

5月6日，海力据韩国媒体The 士提Elec与首尔经济新闻报道，SK海力士在“AI时代，前完SK海力士蓝图和战略”发布会上透露，内存其HBM4内存的量产量产日期已经提前至2025年。

SK海力士宣布，计划计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的至年HBM4产品，而16层堆叠版本的海力推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的士提HBM基础裸片合作协议，原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。前完

HBM4的内存提前量产反映了AI领域对于高性能内存的强烈需求，随着AI处理器性能的量产提升，对内存带宽的计划要求也越来越高。

The 至年Elec预测，SK海力士将在HBM4内存中采用1cnm制程的海力DRAM芯片，相较之下，现有的HBM3E产品则是基于1bnm制程；此外，基础裸片部分可能会采用台积电7nm系列工艺。

SK海力士还在发布会上提到，基于MR-MUF键合技术的12层堆叠HBM3E内存将于本月开始样品生产，并于第三季度实现量产，而未来的16层堆叠产品也将采用MR-RUF键合技术。